日前，拓荊科技表示公告，公司擬使用超募資金9.3億元用于半導(dǎo)體先進(jìn)工藝裝備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目建設(shè)。
據(jù)拓荊科技表示，項目將在上海市自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)建設(shè)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地，用于先進(jìn)ALD設(shè)備及工藝的研發(fā)，并實現(xiàn)以臨港為中心客戶群所需半導(dǎo)體設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化。此項目的實施，將助推公司業(yè)務(wù)規(guī)模的持續(xù)增長，同時也有助于公司不斷加強自身在細(xì)分領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢，始終保持業(yè)內(nèi)領(lǐng)先地位。
項目通過布局半導(dǎo)體先進(jìn)工藝裝備的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，以滿足集成電路晶圓制造產(chǎn)線的需求，有利于推動集成電路關(guān)鍵設(shè)備的發(fā)展，是落實國家產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、實現(xiàn)我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈高端設(shè)備供給自主可控的必要舉措。
隨著集成電路芯片技術(shù)的迭代升級，芯片結(jié)構(gòu)復(fù)雜度不斷提高，對薄膜性能的要求也日益提高。這一趨勢對薄膜沉積設(shè)備提出了更高的技術(shù)要求，市場對于高性能薄膜設(shè)備的依賴逐漸增加。項目通過新建研發(fā)及生產(chǎn)環(huán)境，在現(xiàn)有技術(shù)儲備的基礎(chǔ)上，研制適用于先進(jìn)技術(shù)節(jié)點的薄膜沉積設(shè)備，并實現(xiàn)以臨港為中心客戶群所需半導(dǎo)體設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化，有利于提升產(chǎn)品技術(shù)水平及核心競爭力，并鞏固行業(yè)領(lǐng)先地位。
隨著半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣度的提升，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢，拉動市場對薄膜沉積設(shè)備需求的增加。Maximize Market Research預(yù)計全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模在2025年將達(dá)到340億美元，2020年-2025年期間保持年復(fù)合13.3%的增長速度。
項目通過布局適用于先進(jìn)制程領(lǐng)域的半導(dǎo)體設(shè)備，可以進(jìn)一步提高邏輯電路、存儲芯片等集成電路制造設(shè)備領(lǐng)域的市場份額，在即將到來的新興應(yīng)用領(lǐng)域及其所需高端芯片的增長期中奪得先機，進(jìn)而抓住市場機遇迅速擴(kuò)大企業(yè)規(guī)模。
消息來源：集微網(wǎng)
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